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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
8.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
12800
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
1993
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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