Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Gesamtnote
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Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 31
    Rund um 3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 5.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 14.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.4 left arrow 11.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1344 left arrow 2892
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RAM 1
RAM 2

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