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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
1908
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Frequency (Mhz) *
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