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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1920
1438
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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