RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link