RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,785.9 1,728.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

61 62

Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 3

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

555 575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns