RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
25.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.5
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
25.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
19.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
4167
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link