RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
2633
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link