RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
44
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,892.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,181.5
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,892.9
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
851
2658
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link