RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
39
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2201
2419
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link