RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gesamtnote
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2388
3518
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link