RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K531R8-MIN 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
2113
Kingston K531R8-MIN 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link