RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
34
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3156
2468
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link