RAM-Vergleich Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Gesamtnote

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 75

Rund um -168% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.3 1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.4 1,672.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 4200

Rund um 4.05 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

301 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns