RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
43
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2422
3170
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link