RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3233
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link