RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
58
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3419
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link