RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3534
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link