RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2945
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link