RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3254
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link