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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
62
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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