RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
58
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2108
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link