RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991586 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Mushkin 991586 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991586 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2156
2336
Mushkin 991586 2GB RAM-Vergleiche
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link