RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3292
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link