RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
92
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3217
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link