RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3656
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link