RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3635
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link