Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    38 left arrow 42
    Rund um -11% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 6.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 12.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.0 left arrow 8.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1396 left arrow 2174
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche