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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
49
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2230
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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