RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
60
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2359
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link