RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
71
Rund um -209% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
16.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3810
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link