RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Teclast TLD416G26A30 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teclast TLD416G26A30 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
39
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
2719
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link