RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
66
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1810
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link