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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1493
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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