RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2159
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link