RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
43
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
19.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
4240
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link