RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
40
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3119
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link