RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2370
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link