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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
86
Rund um 71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1469
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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