RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
57
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2328
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link