Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Unterschiede

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 43
    Rund um -79% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.4 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 9.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 15.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 13.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2506 left arrow 3156
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche