RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.3
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
5.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1740
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link