RAM-Vergleich Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

59 72

Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 15.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.0 2,123.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

731 1593

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns