RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2199
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link