RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
69
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
14.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3166
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link