RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
69
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3546
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-100.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link