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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
61
69
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2113
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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