RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
58
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2806
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link