RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
58
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3029
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link