RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3204
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link